Диабет беременных чаще грозит женщинам, перенесшим ЭКО

28 сентября 2019

Как сообщают греческие исследователи, у будущих матерей, которые забеременели благодаря применению вспомогательных репродуктивных технологий (ВРТ), повышается риск развития такого осложнения беременности как гестационный диабет.

Ученые из университета имени Аристотеля в Салониках представили результаты этого исследования на недавно проходившей в Барселоне ежегодной конференции Европейской ассоциации по изучению сахарного диабета.

Авторы провели мета-анализ результатов 38 других исследований, в 17 из которых использовались контрольные группы. Общее число участниц составило почти 2 миллиона женщин с одноплодными беременностями, из которых гестационный диабет (ГД) развился более чем у 163 000 участниц.

В исследовании не использовались данные участниц, страдавших синдромом поликистозных яичников и женщин с многоплодной беременностью.

Авторы установили, что риск развития ГД у испытуемых, которые для успешного зачатия использовали методы вспомогательных репродуктивных технологий, был выше в среднем в 1,53 раза по сравнению с женщинами, зачавшими естественным путем.

Греческие ученые считают, что применение ВРТ является поводом для регулярного мониторинга уровня глюкозы и показателей гликированного гемоглобина у беременных.

zdravoe.com

Хочешь узнать больше - читай отзывы

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

У США лавина накрила групу лижників: багато жертв 20 февраля 2026

Рятувальники виявили вже вісім тіл, проте поки не можуть їх евакуювати через екстремальні умови в горах. Пошуки тривають.

Nissan виходить на ринок мінівенів із доступним Gravite 20 февраля 2026

Nissan виходить на ринок мінівенів із доступним Gravite

В Китаї розробили перспективну флеш-пам'ять для штучного інтелекту 20 февраля 2026

В пошуках заміни звичній пам'яті, що виробляється в рамках техпроцесу КМОП і наблизилася до меж своїх можливостей, розробники знову і знову звертають погляд на пам'ять із сегнетоелектричними транзисторами FeFET. Вони мають значно вищу швидкість перемикання, ніж звичайні польові транзистори FinFET, не потребують живлення для збереження стану і споживають порівняно менше енергії. Але існували бар'єри, які заважали їм.

 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

Layboard 5.0
Layboard

Отзывов: 1

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одяг / аксесуари
  • Роботодавці
  • Інше