27 января 2016
Лицо – это первое, что видят в нас другие, однако остается неизвестным то, как наши черты формируются во время раннего внутриутробного развития.
Недавно ученые из США исследовали эти тайны. Специалисты из Центра регенеративной медицины в Университете Южной Калифорнии выяснили, каким образом мутация в гене под названием Tbx1 вызывает деформации лица, а также другие патологии развития, связанные с синдромом Ди Георга.
Синдром Ди Георга – редкое наследственное заболевание, проявляющееся в иммунодефиците. Болезнь также сопровождается врожденным отсутствием тимуса и паращитовидной железы, пороками сердца и снижением содержания кальция в крови. Больные дети склонны к кандидозам, и у них зачастую отмечается заметное отставание в развитии.
В исследовании, которое было опубликовано в журнале Development, группа ученых из Центра регенеративной медицины описала, как формируются многие черты лица плода в период внутриутробного развития. Изначально лицо эмбриона представляет ряд сегментов, которые состоят из специализированной ткани, называемой эпителием. При последующем развитии эпителий образует кожу, железы и оболочки разных органов, таких как легкие, сердце и кишечнике. Однако при мутации TBX1, эти сегменты развиваются неправильно, поэтому лицо в конечном итоге деформируется.
Авторы работы продемонстрировали всю хронологию событий с помощью сложной покадровой обработки. Также выяснилось, что TBX1 «перезапускается» путем активации дополнительных генов, в том числе FGF8A, что в результате позволяет сегментам лица принимать правильную форму.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Samsung розраховує забезпечити швидкість передачі інформації за допомогою HBM4E до 13 Гбіт/с 20 октября 2025
Пам'ять типу HBM4E вважається сьомим поколінням відповідної технології, що передбачає формування стека з кількох ярусів DRAM. У 2027 році Samsung Electronics має намір налагодити масове виробництво HBM4E, забезпечивши з її допомогою збільшення швидкості передачі інформації в два з половиною рази порівняно з нинішньою HBM3E.
ЄС зобов'язав виробників обладнати зарядні пристрої від'єднуваними кабелями USB-C 20 октября 2025
Європейський союз затвердив законодавчий акт, який зобов'яже виробників з 2028 року оснащувати зарядні пристрої та зовнішні блоки живлення для широкого спектра споживчої електроніки від'єднувальними кабелями з роз'ємом USB-C. Документ поширюється на блоки живлення потужністю до 240 Вт, включаючи зарядні пристрої для ігрових консолей, моніторів, маршрутизаторів, бездротових зарядок, телевізійних приставок та інжекторів PoE для Ethernet.
На ЗАЕС ремонтують лінії електропередачі - МАГАТЕ 19 октября 2025
Обидві сторони конструктивно співпрацювали з МАГАТЕ, щоб забезпечити ремонт, запевнив очільник МАГАТЕ Рафаель Гроссі.