У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
® 2009–2025 «ТОНЕТО»
Посмотреть, узнать оценки, отзывы про товары, компании, людей. Оставить мнение про качество услуг, недостатки, достоинства человека.
Все авторские права сохранены за своими правообладателями.