Disney и Marvel бойкотируют Джорджию из-за антигейского закона
26 марта 2016
Компания The Walt Disney Co. и ее дочерняя студия Marvel Studios заявили о намерении бойкотировать штат Джорджия, если его власти оставят в силе принятый на прошлой неделе считающийся антигейским закон о защите свободы вероисповедания.
"Хотя Disney и Marvel неоднократно и успешно снимали фильмы в Джорджии, мы предпочтем отказаться от работы на территории штата, если любой акт, позволяющий дискриминацию, закрепится в законодательстве", — говорится в официальном заявлении студий.
В Джорджии, которая популярна у голливудских студий благодаря значительным налоговым квотам на кинопроизводство, снимались такие фильмы Marvel, как "Первый мститель: Противостояние" и "Стражи галактики 2". Оба еще не вышли в прокат.
К бойкоту Джорджии после принятия скандального закона ранее уже призвали Американская ассоциация кинокомпаний (MPAA) и Кампания за права человека (Human Rights Campaign). Кроме того, обеспокоенность биллем выразили многочисленные частные фирмы, работающие в Джорджии.
Принятый законодателями Джорджии на прошлой неделе закон разрешает священнослужителям различных конфессий отказывать однополым парам в организации свадебных церемоний. Кроме того, билль позволяет разнообразным религиозным организациям не принимать на работу и не предоставлять услуги представителям ЛГБТ-сообщества. Закон вступит в силу, если будет подписан губернатором штата Натаном Дилом.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Гарік Корогодський повідомив, що його багатодітна дочка підписала контракт із ТРО 28 ноября 2025
Бізнесмен і багатодітний батьком Гарік Корогодський повідомив, що його старша донька Ліза вступила на службу в ТРО і тепер перебуває у складі вогневої групи, яка збиває шехади.
У США пройшов традиційний парад до Дня подяки 28 ноября 2025
99-й за рахунком парад у Сполучених Штатах через пориви вітру міг пройти без традиційних повітряних куль.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
5.0
0.1