3 декабря 2013
Отрицательное сальдо сводного платежного баланса в октябре составило 492 млн долл., что почти в пять раз больше по сравнению с сентябрьскими показателями.
Этот показатель отображает соотношение между суммой денежных поступлений, полученных страной из-за границы, и суммой осуществленных платежей за рубеж. Он состоит из двух счетов - текущего и финансового. Если первый отражает в основном движение товаров и услуг, то второй показывает движение инвестиций и капиталов. Соответственно, отрицательное сальдо свидетельствует о том, что отток валюты за границу превышает ее поступления.
По данным Национального банка, дефицит текущего счета в августе составил 1,9 млрд долл. из-за преобладания импорта товаров над их экспортом, что на 260 млн долл. меньше, чем в сентябре. Но при этом и финансовый счет сократился с 1,9 млрд долл. до 1,4 млрд долл.
Как сообщалось, в течение первых пяти месяцев текущего года платежный баланс был положительным. Наибольший профицит был зафиксирован в феврале, когда он составил 1,3 млрд долл. Однако в июне баланс ушел в минус сразу на 1,1 млрд долл. и с тех пор остается отрицательным. Тем не менее, за десять месяцев профицит платежного баланса составил 1,054 млрд долл.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
mignews.com.ua
← Вернуться на предыдущую страницу
Британія в ОБСЄ: Кордони не можна змінювати силою 28 ноября 2025
Для забезпечення справедливого і тривалого миру мирна угода повинна зберігати суверенітет України, утверджувати принцип недоторканності кордонів і містити дієві гарантії проти можливих загроз.
Дженніфер Лопес у шовковій сукні та фартушку показала, як із дитиною куховарила до Дня подяки. Фото 28 ноября 2025
27-го листопада у США традиційно відзначають День подяки. Ця подія є важливою і для відомих селебріті, які щороку збираються з родинами за святковим столом.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.