У США прокоментували ракетний удар РФ по Сумах
25 марта 2025
США засуджують наслідки ракетного удару по Сумах, який 24 березня завдала Росія, внаслідок чого постраждали понад сотня осіб. Про це заявила речниця Державного департаменту США Теммі Брюс під час брифінгу.
За її словами, Вашингтон продовжує працювати над припиненням вогню, зокрема через переговори в Саудівській Аравії.
"Ось чому ми робимо те, що робимо, бо такі результати, як у будь-якій війні, є проблематичними і болісними. Ми хочемо зупинити це і повернути все назад", – зазначила Брюс.
Водночас вона прямо не назвала Росію винною у регулярних обстрілах українських міст.
Нагадаємо, вдень 24 березня росіяни вдарили ракетами по Сумам. Відразу повідомлялося про 28 постраждалих.
За останніми даними, кількість поранених зросла до понад 100 осіб. У місті пошкоджено школу і багатоповерхові житлові будинки.
А сьогодні стало відомо, що внаслідок атаки Росії по житловому кварталу Сум пошкоджено шість закладів освіти.
Новини від Корреспондент.net в Telegram та WhatsApp. Підписуйтесь на наші канали https://t.me/korrespondentnet та WhatsApp
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Коли вийде наступний сезон "Бріджертонів": відомі точні дати 28 ноября 2025
Коли вийде наступний сезон "Бріджертонів": відомі точні дати Вийшов новий тизер романтичного серіалу
Британія в ОБСЄ: Кордони не можна змінювати силою 28 ноября 2025
Для забезпечення справедливого і тривалого миру мирна угода повинна зберігати суверенітет України, утверджувати принцип недоторканності кордонів і містити дієві гарантії проти можливих загроз.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
0.1
5.0