Apple запатентовала новую версию сенсорного экрана
17 января 2011
Первая версия iPhone предложила общественности отлично реализованный мультитач, который вызвал широкую реакцию мобильной индустрии. Практически каждый производитель применил аналогичную технологию в своих решениях — количество мультитач-телефонов и смартфонов не поддается исчислению. Однако за последние несколько лет мало что изменилось.
Первая версия iPhone предложила общественности отлично реализованный мультитач, который вызвал широкую реакцию мобильной индустрии. Практически каждый производитель применил аналогичную технологию в своих решениях – количество мультитач-телефонов и смартфонов не поддается исчислению. Однако за последние несколько лет мало что изменилось.
В патенте описывается возможность использования комбинированных команд, сочетающих прямые касания с движениями в воздухе. Видимо, в следующих поколениях i-устройств можно ожидать появления такого «парящего» интерфейса, однако на этот счет конкретной информации пока нет.
Чтобы узнать больше, читай отзывы.
3dnews.ru
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
У російському Таганрозі знову було чути вибухи біля військового аеродрому - ЗМІ 28 ноября 2025
Від місця вибуху до майданчика, де на військовому аеродромі Таганрог-Південний раніше атакували два літаки, - трохи більше кілометра.
Кейт Міддлтон у елегантному аутфіті навідалася до благодійної організації в Лондоні 28 ноября 2025
Принцеса Вельська Кейт Міддлтон 27-го листопада відвідала благодійну організацію Anna Freud Centre, яка займається проблемами ментального здоров'я дітей. Її Високість є її патронесою.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
5.0