22 мая 2020
Неопределённость с пандемией коронавируса заставляет производителей памяти осторожничать с инвестициями в DRAM и NAND, но держать деньги «под матрасом» тоже не выход. В такой ситуации компания Samsung приняла решение ещё сильнее нарастить мускулы в области контрактного производства чипов.
Производственный комплекс Samsung в Пхёнтэк (Южная Корея)
Сегодня утром Samsung сообщила, что она приступила к строительству завода для выпуска чипов ИИ, HPC и 5G по нормами 5 нм с использованием EUV-литографии. Предприятие должно войти в строй во второй половине следующего года. Объём инвестиций и проектная мощность не раскрываются. Завод будет построен в составе производственного комплекса компании вблизи города Пхёнтхэк, где компания уже выпускает память.
Это предприятие станет для Samsung седьмым по выпуску логики (шестым в Южной Корее). Южнокорейский производитель задался целью обогнать TSMC на ниве контрактного производства и не жалеет на это денег. Чуть ранее в этом году, например, Samsung в городе Хвасон (Южная Корея) ввела в строй завод по выпуску 7-нм и 6-нм чипов и к осени развернёт там производство по 5-нм техпроцессу с использованием EUV-литографии.
Сегодня на рынке контрактного производства Samsung удерживает около 10 %, а TSMC ― свыше 50 %. Согласно стратегическим целям Samsung, к 2030 году она должна обогнать TSMC. Серьёзная заявка, реализация которой будет стоить не менее серьёзных денег.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Латвія готується до провокацій через відключення від енергосистеми РФ 7 февраля 2025
Президент країни Едгарс Рінкевичс наголосив, що це важливий крок для енергетичної незалежності держави.
У Києві на Солом’янці під час руху загорівся BMW 7 февраля 2025
У Києві на Солом’янці під час руху загорівся BMW. Подробиці НП та фото Причину загоряння встановлять правоохоронці
Зняли з рахунків померлих українців понад 1 млн грн: у Києві судитимуть нотаріуску та її спільників 7 февраля 2025
Зняли з рахунків померлих українців понад 1 млн грн: у Києві судитимуть нотаріуску та її спільників. Фото Обвинувачуваним загрожує до 12 років позбавлення волі