Toshiba SG6: потребительские SSD-накопители в форматах 2,5 дюйма и М.2
10 августа 2017
Корпорация Toshiba анонсировала семейство твердотельных (SSD) накопителей SG6, выполненных на основе 64-слойных микрочипов BiCS FLASH с технологией TLC (три бита информации в одной ячейке).
Изделия будут предлагаться в 2,5-дюймовом форм-факторе, а также в виде модулей М.2. Задействован интерфейс SATA Revision 3.3, обеспечивающий пропускную способность до 6,0 Гбит/с.
Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с. Скорость последовательной записи может составлять до 535 Мбайт/с.
Сообщается, что накопители Toshiba SG6 вне зависимости от форм-фактора будут предлагаться в трёх вариантах вместимости — 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.
Благодаря различным улучшениям энергопотребление в активном режиме снижено приблизительно на 40 % по сравнению с изделиями предыдущего поколения. Устройства будут доступны в модификациях с шифрованием данных.
Пробные поставки новинок уже начались. Наращивание объёмов отгрузок намечено на четвёртый квартал нынешнего года. О цене, к сожалению, пока ничего не сообщается.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Угорщина продала Сербії 108 БТР за €1 млн: розпочато перевірку 3 октября 2026
Міністр оборони Угорщини заявив про можливі зловживання під час продажу Сербії 108 бронетранспортерів. Техніку оцінили приблизно у 500 млн форинтів.
Apple придумала, як боротися зі складкою на iPhone Duo — захисний шар дисплея буде змінним 3 октября 2026
З часом складка по центру гнучких екранів у смартфонах стає значно помітнішою та відчутнішою, ніж на початку, і новий iPhone Duo навряд чи зможе уникнути цієї проблеми. Але в Apple придумали, як зробити цей ефект менш помітним — у смартфоні передбачено змінний захисний шар, повідомила топ-менеджер компанії.
У Криму заявили про нову атаку на енергооб’єкти 3 октября 2026
Після вибухів у Красноперекопську, Сімферополі та Сакському районі виникли перебої з електропостачанням, а окупаційна влада заявила про пошкодження енергооб’єктів.
4.8
