До виходу готується "народний" Samsung S24 FE
14 августа 2024
Samsung підтвердила розробку смартфона Galaxy S24 FE. Водночас інсайдери повністю розкрили зовнішній вигляд і технічні характеристики майбутнього пристрою, а також озвучили передбачувану ціну.
Дизайн буде практично ідентичний девайсам лінійки Galaxy S24. Основні відмінності полягають у колірних варіантах і дещо ширших рамках дисплея. Galaxy S24 FE стане більшим. Розмір діагоналі екрана збільшиться до 6,7 дюймів.
В основі лежатиме Exynos 2400. Цей чипсет значно перевершує Exynos 2200, встановлений в S23 FE, як за швидкістю, так і за енергоефективністю. Крім того, прогнозується збільшення ємності акумулятора, наявність металевої рамки з боків і використання загартованого скла Corning Gorilla Glass Victus+. Фронтальна камера отримає роздільну здатність 10 Мп, а в основній будуть встановлені сенсори з роздільною здатністю 50, 12 і 8 Мп. У S24 FE з'явиться повний набір преміальних ШІ-функцій.
Нагадаємо, раніше ми писали про те, що, за чутками, в США цей смартфон буде оснащений Snapdragon, тоді як на європейському ринку апарати традиційно отримають фірмовий Exynos.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Трамп підписав указ щодо лікування психоделічними препаратами 20 апреля 2026
Реформи можуть відкрити шлях до визнання медичного застосування таких препаратів після успішних клінічних випробувань.
США збираються захоплювати пов'язані з Іраном судна - WSJ 20 апреля 2026
Ці дії започаткують новий етап кампанії тиску США на Тегеран, яку в адміністрації Трампа назвали "Економічною люттю", за прикладом операції проти Ірану "Епічна лють".
Додаток ЄС для перевірки віку провалив публічні тести на безпеку 20 апреля 2026
Під час публічної демонстрації програми перевірки віку в ЄС, яка була представлена Європейською комісією, вона була зламана з мінімальними зусиллями. Заяви про абсолютний захист даних виявилися далекими від реальності. Система, що позиціонувалася як повністю готова до впровадження, не змогла протистояти навіть базовим методам обходу захисту.
5.0
0.8