Фаблет Samsung Galaxy Note 10 сможет работать в сетях 5G
13 марта 2019
Не так давно сетевые источники опубликовали концепт-рендеры флагманского фаблета Galaxy Note 10, который компания Samsung, предположительно, представит в третьем квартале текущего года. Теперь ресурс XDA Developers обнародовал новую порцию информации о технических характеристиках новинки.
Рендеры phonearena.com
В программном коде для смартфона Samsung Galaxy S10 на процессоре Exynos 9820 обнаружилось упоминание аппарата под кодовым именем davinci. Ещё несколько месяцев назад сообщалось, что под этим внутренним названием проходит фаблет Galaxy Note 10.
Более того, в упомянутом коде в строке с именем davinci указан шифр 5G. Таким образом, полагают наблюдатели, аппарат Galaxy Note 10 сможет функционировать в мобильных сетях пятого поколения.
Новинке приписывают наличие четырёхмодульной основной камеры с датчиком Time-of-Flight (ToF), двойной фронтальной камеры и 6,75-дюймового экрана, загибающегося на боковые части корпуса. Фаблет якобы получит до 12 Гбайт оперативной памяти и флеш-накопитель вместимостью до 1 Тбайт.
Очевидно, для Galaxy Note 10 будут доступны версии с процессором Exynos 9820 и Snapdragon 855. Аппарат, вероятнее всего, оснастят дактилоскопическим датчиком, интегрированным непосредственно в область экрана.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Колишній "Холостяк" і лідер відомого гурту доєднаються до новорічного спецвипуску "Танців з зірками" 28 ноября 2025
Стали відомі імена наступної трійки учасників новорічного спецвипуску телепроєкту "Танці з зірками. Рух до життя", який глядачі побачать вже у грудні.
Гарік Корогодський повідомив, що його багатодітна дочка підписала контракт із ТРО 28 ноября 2025
Бізнесмен і багатодітний батьком Гарік Корогодський повідомив, що його старша донька Ліза вступила на службу в ТРО і тепер перебуває у складі вогневої групи, яка збиває шехади.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
0.2