Китай наступає на п’яти Південній Кореї у виробництві пам’яті

Якщо раніше представники південнокорейської напівпровідникової промисловості оцінювали відставання своїх китайських колег приблизно в п’ять років, то тепер розрив у найскладнішому напрямку — пам’яті HBM — скоротився до трьох, а в інших напрямках взагалі вимірюється одним або двома роками.

Джерело зображення: SK hynix

За чутками, китайська CXMT вже тестує п’яте покоління HBM, яке відоме під позначенням HBM3E, розраховуючи розпочати його масове виробництво в наступному році. HBM3E всього на покоління відстає від HBM4 — пам’яті, яку південнокорейські Samsung, SK hynix та американська Micron Technology вже випускають серійно. Водночас вважається, що CXMT масово випускає HBM3, як стверджує Korea JoongAng Daily, посилаючись на представників південнокорейської напівпровідникової галузі.

За словами корейських експертів, китайська напівпровідникова промисловість демонструє високі темпи прогресу, проходячи за рік той шлях, який закордонним конкурентам вдавалося пройти за три роки. Великий внутрішній ринок КНР, розвинена система досліджень і розробок поєднуються з державною підтримкою, що врешті-решт і дозволяє рухатися вперед з такою швидкістю. Не маючи можливості отримати передові EUV-сканери для виробництва мікросхем з більш тонкими літографічними нормами, китайські компанії зосереджуються на вдосконаленні технологій упаковки пам’яті та інтеграції різнорідних компонентів.

За даними DigiTimes, китайська CXMT використовувала технологію X-Stacking, яка застосовується YMTC при випуску 3D NAND, для виробництва пам’яті типу HBM. Методика зрощування двох кремнієвих пластин дозволяє скоротити відстані, які долають електричні сигнали, підвищуючи пропускну здатність пам’яті та знижуючи рівень енергоспоживання без переходу на використання EUV-обладнання. Просунулася в близькому напрямку і Huawei Technologies, яка запропонувала «складати чіпи вдвічі» та з’єднувати половини між собою вертикальними каналами передачі інформації.

Джерело зображення: Korea JoongAng Daily

Пам’ять типу DDR5 китайські компанії почали випускати всього на два роки пізніше південнокорейських. У сфері виробництва 3D NAND минулого року YMTC вже вийшла на 270 шарів проти 300 шарів у південнокорейських конкурентів, а в наступному вона вже може обігнати їх, запропонувавши 400-шарову пам’ять. CXMT вдалося вийти на четверте місце у світі за виручкою від реалізації DRAM з часткою в 10%, перевищивши за нормою операційного прибутку (82%) обох південнокорейських суперників. YMTC при цьому займає 14% світового ринку NAND, а до кінця наступного року планує стати лідером на світовому ринку. Вийшовши на біржу, CXMT змогла залучити майже $10 млрд, які планує направити на розширення виробничих потужностей. При цьому не можна стверджувати, що в сфері виробництва передової продукції у цієї компанії все благополучно, оскільки вихід придатних чіпів HBM3E у неї не перевищує 25%, якщо вірити наявній інформації тих же південнокорейських видань. На фоні загальноприйнятих для галузі 80% це досить низький результат, що характеризує високий рівень браку на конвеєрі китайської компанії, високу собівартість продукції та обмеженість обсягів її виробництва.

Хочеш дізнатися більше — читай відгуки