На Тайване разработаны самые маленькие микросхемы памяти RRAM

По опубликованной информации первые образцы промышленных микросхем, являющихся заменой FLASH-памяти, изготовленных по этой технологии, могут появиться на рынке через пять лет.

Каждая ячейка новой памяти RRAM (Resistive Random Access Memory), изготовлена на основе мемристора и имеет размер порядка 9 нанометров. Чипы памяти, на основе таких ячеек могут хранить в 20 раз больше информации, чем чипы FLASH-памяти, используемые в настоящее время в качестве устройств хранения данных в большинстве мобильных телефонов, видеокамер и фотоаппаратов. При этом, новая RRAM память потребляет 0.005 энергии от количества энергии, потребляемого стандартными продуктами на основе FLASH-памяти.

Хо Чия-хуа (Ho Chia-hua), один из членов исследовательской группы, рассказал, что новый чип памяти, площадью один квадратный сантиметр, сможет вместить 500 ГБ информации, в перспективе объем данных одного чипа может быть расширен до 1.5 ТБ, чего вполне хватит для хранения огромного количества видео, аудио, изображений и других документов.

Электронная промышленность Тайваня в настоящее время имеет долю менее одного процента на рынке энергонезависимой памяти. Новая технология RRAM, которая сможет через десятилетие вытеснить FLASH-память, позволит промышленности Тайваня, по предварительным оценкам, "отхватить" долю рынка памяти около 10 процентов.

Новая технология памяти RRAM, разработанная в тайваньской Национальной лаборатории прикладных исследований, была предоставлена вниманию общественности на международной конференции по электронным приборам (International Electron Devices Meeting), которая состоялась в Сан-Франциско 8 декабря 2010 года.

Чтобы узнать больше, читай отзывы.

dailytechinfo.org