21 декабря 2018
На сайте Евразийской экономической комиссии (ЕЭК) появилась информация о трёх новых смартфонах Sony, анонс которых ожидается в январе на выставке Consumer Electronics Show (CES) 2019 в Лас-Вегасе (Невада, США).

Аппараты фигурируют под кодовыми обозначениями I4113, I4213 и I4312. Какие-либо данные о технических характеристиках устройств на сайте ЕЭК, увы, отсутствуют.
Но, как отмечают наблюдатели, схема обозначений указывает на то, что смартфоны войдут в серии Xperia L3 и (или) Xperia XA3. Устройства будут относиться к среднему уровню.

Ранее в Интернете уже появлялась информация о смартфонах семейства Xperia XA3. В частности, ещё в октябре был рассекречен аппарат Xperia XA3 Ultra. По слухам, он получит 6,5-дюймовый экран формата Full HD+ с разрешением 2160 × 1080 точек, процессор Snapdragon 660, до 6 Гбайт оперативной памяти, двойную основную камеру и флеш-накопитель ёмкостью 64 Гбайт.
Что касается модели Xperia L3, то ей приписывают наличие 5,7-дюймового дисплея, двойной камеры, а также дактилоскопического сканера в боковой части.
Новые смартфоны будут поставляться с операционной системой Android 9.0 Pie.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Без петрушки та селфі в туалеті: найдивніші заборони Met Gala та скільки коштує провести вечір серед найвідоміших зірок Фінансовий поріг участі у заході залишається одним із найвищих у світі
Google кардинально оновила дизайн та інтерфейс додатку Gemini 4 мая 2026
Останні кілька місяців Google працювала над створенням оновленого дизайну додатку Gemini. Тепер з'явилася можливість оцінити результати цієї діяльності розробників.
Японський виробник унітазів несподівано заробив на бумі штучного інтелекту та дефіциті пам'яті 4 мая 2026
Прийнято вважати, що будь-яка криза породжує можливості, для японської компанії Toto в умовах дефіциту мікросхем пам'яті відкрилися не зовсім очевидні напрямки діяльності. Відома своєю передовою сантехнікою, Toto почала більше заробляти на постачаннях електростатичних захватів, які використовуються при виробництві пам'яті NAND.