22 февраля 2017
На рынке смартфонов вскоре появится новый бренд Cagabi, который будет предлагать бюджетные модели под управлением операционной системы Android.

Первыми устройствами марки станут модели с незамысловатыми названиями Cagabi One и Cagabi Two. Первая оснащена 5-дюймовым дисплеем LG IPS с разрешением 1280 × 720 точек (формат 720р) и защитным стеклом Corning Gorilla Glass 4. О характеристиках процессора ничего не сообщается, но известно, что смартфон будет предлагаться в версиях с 1 и 2 Гбайт оперативной памяти и флеш-модулем вместимостью 8 и 16 Гбайт соответственно. Оснащение включает камеры с 5- и 8-мегапиксельной матрицами, слот microSD, а также аккумулятор ёмкостью 2500 мА·ч.

Более мощный аппарат Cagabi Two, как заявляет разработчик, оснащён «загнутым» по бокам дисплеем Dual-Edge. Впрочем, это, похоже, лишь визуальный эффект, а не действительно загнутый экран, как у Samsung Galaxy Edge. Дисплей Cagabi Two имеет диагональ 5,5 дюйма; защиту от повреждений обеспечивает стекло Corning Gorilla Glass 4.
Смартфон несёт на борту 2 Гбайт ОЗУ, флеш-модуль ёмкостью 16 Гбайт, камеры с 8- и 13-мегапиксельной матрицами (обе наделены вспышкой), слот microSD, аккумулятор на 3000 мА·ч.
Модель Cagabi One поступит в продажу в марте по цене менее 60 долларов США. Продажи Cagabi Two стартуют в апреле, стоимость аппарата не превысит 80 долларов.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Підрив Північних потоків: ЗМІ дізналися про роль ЦРУ 20 февраля 2026
Американські агенти з цікавістю вислухали ідею українців та не висловили жодних заперечень, стверджує Spiegel.
У Трампа прокоментували заяву Зеленського щодо закликів до поступок 20 февраля 2026
Керолайн Левітт заявила, що Трамп - президент миру, який разом з командою "присвятили величезну кількість часу та енергії цій війні", яка ведеться дуже далеко від США.
В Китаї розробили перспективну флеш-пам'ять для штучного інтелекту 20 февраля 2026
В пошуках заміни звичній пам'яті, що виробляється в рамках техпроцесу КМОП і наблизилася до меж своїх можливостей, розробники знову і знову звертають погляд на пам'ять із сегнетоелектричними транзисторами FeFET. Вони мають значно вищу швидкість перемикання, ніж звичайні польові транзистори FinFET, не потребують живлення для збереження стану і споживають порівняно менше енергії. Але існували бар'єри, які заважали їм.