26 декабря 2020
В распоряжении интернет-источников оказалась информация о смартфоне iPhone SE следующего поколения, который якобы разрабатывает компания Apple. На рынок новинка, как утверждается, может выйти под именем iPhone SE 3.

Напомним, что нынешний аппарат iPhone SE, показанный на фотографиях, снабжён 4,7-дюймовым дисплеем Retina HD с разрешением 1334 × 750 точек, процессором A13 Bionic, фронтальной 7-мегапиксельной камерой, тыльной камерой с 12-мегапиксельным датчиком и сенсором Touch ID.
У iPhone SE следующего поколения, если верить имеющейся информации, размер экрана существенно возрастёт: диагональ составит 6,06 дюйма. Разрешение, впрочем, пока не раскрывается.
В тыльной части корпуса якобы расположится двойная камера. Кроме того, сохранится сканер Touch ID для распознавания пользователей по отпечаткам пальцев.

Наконец, утверждается, что в оснащение войдёт модем 5G для работы в мобильных сетях пятого поколения. Сейчас поддержка 5G реализована только в смартфонах семейства iPhone 12.
Что касается сроков анонса, то они остаются под вопросом. Отмечается лишь, что на презентацию в начале наступающего года рассчитывать не стоит.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Еліна Світоліна показала затишну прогулянку з 3-річною дочкою у Швейцарії. Фото 4 мая 2026
Тенісистка Еліна Світоліна потішила фото зі своєю 3-річною дочкою та їхнім дозвіллям у Швейцарії. Зірка з дитиною погуляла набережною, пограла в гольф та попозувала у стильних луках
В РФ пожалілися на "примусову" видачу паспортів США дітям дипломатів 4 мая 2026
МЗС РФ називає надання російським "мажорам" громадянства "інтригами" з боку окремих представників адміністрації Трампа.
Японський виробник унітазів несподівано заробив на бумі штучного інтелекту та дефіциті пам'яті 4 мая 2026
Прийнято вважати, що будь-яка криза породжує можливості, для японської компанії Toto в умовах дефіциту мікросхем пам'яті відкрилися не зовсім очевидні напрямки діяльності. Відома своєю передовою сантехнікою, Toto почала більше заробляти на постачаннях електростатичних захватів, які використовуються при виробництві пам'яті NAND.