Практично 5 Гбайт на квадратний міліметр: Kioxia та SanDisk готують флеш-пам'ять рекордної щільності

Партнери японська Kioxia та американська SanDisk готуються розповісти на Міжнародній конференції з твердотільних схем (ISSCC) про пам'ять з рекордною щільністю. Очікується, що майбутня 3D QLC NAND запропонує щільність у 37,6 Гбіт/мм², що відповідає 4,7 Гбайт/мм².

Джерело зображення: sandisk.com

Інженери Kioxia та SanDisk виступлять з доповіддю, озаглавленою «Двохтерабітна флеш-пам'ять 3D з чотирма бітами на осередок, шестиплощинною архітектурою, щільністю 37,6 Гбіт/мм² та швидкістю запису понад 85 Мбайт/с». Йдеться, ймовірно, про чіпи BiCS10 QLC у 332-шаровому виконанні — це підтверджується порівнянням з TLC-варіантом BiCS10, який при 3 бітах на осередок дає розрахункову щільність 29,1 Гбіт/мм² або на 33% менше. Нова BiCS10 QLC, як і BiCS8 QLC, пропонує до 2 Тбіт (256 Гбайт) на кристал, але при більшій щільності ємність чіпа зможе досягти 8 Тбіт. Такого ж результату досягла SK hynix зі своєю 321-шаровою V9 QLC, але достовірних відомостей про щільність корейський виробник поки не надав. Знаючи щільність 37,6 Гбіт/мм² та ємність 2 Тбіт, можна розрахувати площу кристала — вона складе близько 55 мм².

Очікується також приріст швидкості, оскільки BiCS10 у версії TLC отримає інтерфейс зі швидкістю 4,8 Гбіт/с, тоді як у BiCS8 він складав всього 3,6 Гбіт/с. Шестирівнева архітектура забезпечить BiCS10 QLC швидкість запису понад 85 Мбайт/с — менше, ніж у TLC, але більше, ніж у V9 QLC від SK hynix з її 75 Мбайт/с.

У поточному поколінні BiCS8 чіпи Kioxia та SanDisk при відносно невеликій кількості шарів — 218 — можуть конкурувати з конкурентами за щільністю даних і пропонують максимальну швидкість. Вийшовши на 332 шари, Kioxia та SanDisk стануть противагою Samsung V10, яка обіцяє вийти на всі 400 шарів і навіть досягти 5,6 Гбіт/с для V10 TLC.

Хочеш дізнатися більше — читай відгуки