Предложена новая методика улучшения энергетических характеристик PCM-памяти

Специалисты из Университета Райса и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (оба — США) отрапортовали об очередных достижения в области разработки памяти с изменяемым фазовым состоянием (РСМ). PCM-память рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространённым флеш-накопителям.

Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве материала носителя (халькогенида) находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей. Исследователи утверждают, что им удалось разработать новую схему кодирования данных в микрочипах РСМ-памяти, позволяющую снизить потребление энергии в режиме записи более чем на 30%.

Методика основана на том, что процессы чтения/записи памяти с изменяемым фазовым состоянием имеют ассиметричный характер: переход из одного состояния в другое требует интенсивного нагрева в течение короткого промежутка времени, а обратный переход осуществляется при меньшем, но более продолжительном нагреве. Учёные показали, что при помощи комбинирования методов динамического и целочисленного линейного программирования можно минимизировать количество перемещений битов данных.

Это позволяет улучшить показатели энергетической эффективности, а также повысить долговечность ячеек памяти. Результаты своих изысканий учёные представили на конференции IEEE/ACM Design Automation Conference в Сан-Франциско (США). Подготовлено по материалам Университета Райса.

Иллюстрация Университета Райса.

Хочешь узнать больше - читай отзывы

science.compulenta.ru