4 мая 2019
Сетевые источники сообщают о том, что Huawei вскоре представит смартфон среднего уровня Y9 Prime 2019. Аппарат уже замечен на постере, кроме того, появились его «живые» фотографии.

Как можно видеть, новинка получит выдвижную фронтальную камеру. Этот модуль-перископ якобы будет содержать 16-мегапиксельный датчик (максимальная диафрагма — f/2,2).
Утверждается, что по характеристикам смартфон будет близок к аппарату Huawei P Smart Z, о котором мы недавно рассказывали. Оба устройства получат 6,59-дюймовый дисплей формата Full HD+ с разрешением 2340 × 1080 точек и восьмиядерный процессор Kirin 710 с графическим ускорителем ARM Mali-G51 MP4.

Однако в тыльной части Huawei Y9 Prime 2019 расположится тройная основная камера, а не двойная, как в случае Huawei P Smart Z. Если верить имеющимся данным, тройной блок объединит модули с 16 млн (f/1,8), 8 млн (f/2,4) и 2 млн (f/2,4) пикселей. Сзади также расположится сканер отпечатков пальцев.
Модель Huawei Y9 Prime 2019 будет нести на борту 4 Гбайт оперативной памяти, флеш-накопитель вместимостью 128 Гбайт, аккумулятор ёмкостью 4000 мА·ч и пр. Упомянут симметричный порт USB Type-C.
Сроки анонса новинки не раскрываются, но называется ориентировочная цена — приблизительно 300 долларов США.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Подкопаєва в день 20-річчя сина замилувала архівними фото 28 ноября 2025
Вадим - старший із трьох дітей Лілії Подкопаєвої
Люди навіть не уявляють, наскільки штучний інтелект змінить світ, але все закінчиться бульбашкою, хоч і не скоро 28 ноября 2025
Увещування деяких авторитетних інвесторів, таких як Майкл Бьюррі, щодо неминучості формування бульбашки на ринку штучного інтелекту починають дратувати керівництво Nvidia, яке раптово починає виправдовувати всі процеси, що відбуваються на біржі. Деякі інвестори займають більш зважену позицію, не відкидаючи при цьому саму ідею формування бульбашки на ринку штучного інтелекту.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.