10 ноября 2019
Сетевые источники опубликовали серию «живых» фотографий, на которых, как утверждается, запечатлён прототип смартфона будущего семейства OnePlus 8.
Нужно сразу оговориться, что качество снимков оставляет желать лучшего. К тому же нет полной уверенности в том, что на изображениях действительно показан аппарат серии OnePlus 8, а не какой-то другой тестовый образец.

В тыльной части корпуса запечатлённого устройства видны логотип OnePlus и маркировка 5G, указывающая на поддержку мобильных сетей пятого поколения.
Основная многомодульная камера имеет вертикальную ориентацию оптических элементов. Дисплей получил продолговатое отверстие для двойной фронтальной камеры.

В нижней части корпуса расположен симметричный порт USB Type-C. Веб-источники также указывают на новое цветовое исполнение в градиентном стиле.
По слухам, в новое семейство смартфонов войдут модели OnePlus 8 и OnePlus 8 Pro. Первая якобы получит 6,5-дюймовый дисплей, вторая — 6,65-дюймовый. Частота обновления будет достигать 120 Гц.

Новинкам приписывают наличие пока не представленного процессора Snapdragon 865, до 12 Гбайт оперативной памяти и флеш-накопителя вместимостью до 256 Гбайт. Анонс ожидается во втором квартале следующего года.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
На Київщині позашляховик на швидкості збив на смерть пішохода 28 ноября 2025
На Київщині позашляховик на швидкості збив на смерть пішохода. Подробиці ДТП та фото Усі обставини смертельної аварії встановлять слідчі
Люди навіть не уявляють, наскільки штучний інтелект змінить світ, але все закінчиться бульбашкою, хоч і не скоро 28 ноября 2025
Увещування деяких авторитетних інвесторів, таких як Майкл Бьюррі, щодо неминучості формування бульбашки на ринку штучного інтелекту починають дратувати керівництво Nvidia, яке раптово починає виправдовувати всі процеси, що відбуваються на біржі. Деякі інвестори займають більш зважену позицію, не відкидаючи при цьому саму ідею формування бульбашки на ринку штучного інтелекту.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.