18 мая 2022

В мире немало самых разнообразных тюнинг проектов, когда обычный автомобиль ставят на гусеничное полотно. Более того, когда-то мы даже рассказывали о "Таврии", которую гаражные умельцы смогли поставить на гусеничный ход.
В Германии же энтузиасты решили подойти к постройке гусеничной техники с необычной стороны и сделать электро-танк на базе Tesla Model 3. После всех доработок, общий вес автомобиля увеличился до 6 тонн.
Свое детище немецкие YouTube-блогеры назвали просто - Model Т. Для переделки, блогерам понадобилось 4 недели, а основная часть времени ушла на создание гусениц, каждая из которых весит по 1,3 тонны.
В результате множественных переделок, удалось создать Model 3 с дорожным просветом в 80 см, который сейчас может преодолеть практически любое бездорожье. В то же время, ходовых испытаний своего детища блогеры пока не проводили.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Люди навіть не уявляють, наскільки штучний інтелект змінить світ, але все закінчиться бульбашкою, хоч і не скоро 28 ноября 2025
Увещування деяких авторитетних інвесторів, таких як Майкл Бьюррі, щодо неминучості формування бульбашки на ринку штучного інтелекту починають дратувати керівництво Nvidia, яке раптово починає виправдовувати всі процеси, що відбуваються на біржі. Деякі інвестори займають більш зважену позицію, не відкидаючи при цьому саму ідею формування бульбашки на ринку штучного інтелекту.
Білорусь могла створити дешеву крилату ракету для РФ - ЗМІ 28 ноября 2025
Представники компанії-розробника зазначили у своїх коментарях про розробку ракети на основі досвіду українського воєнного конфлікту.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.