15 декабря 2013
В альянс из 20 компаний вошли такие крупные игроки как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi, и Micron Technology. Они хотят заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM), используемую сейчас, на так называемую MRAM (Магниторезистивную память с произвольным доступом).
Эта технология разрабатывается еще с девяностых годов прошлого века. MRAM основана на хранении информации при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Это позволяет добиться десятикратного ускорения работы при десятикратном увеличении объема хранимых данных в то же время резко снижая энергопотребление. Японское издание Nikkei отмечает, что, как обещают исследователи платы MRAM будут потреблять в три раза меньше электричества.
Главной задачей проекта станет разработка технологий для массового производства таких компонентов, завершить ее исследователи намерены к 2018 году.
Примечательно, что компания Everspin Technologies уже производит MRAM-платы. Сейчас она начинает реальные поставки и может завоевать лидерство на рынке, если ей удастся предложить такие компоненты в коммерческих объемах раньше, чем американско-японский консорциум добьется результатов.
Ранее сообщалось, что ученые предлагают существенно увеличить плотность хранения данных на жестких дисках за счет использования сплава железа и платины.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
techno.bigmir.net
← Вернуться на предыдущую страницу
В НАТО назвали умову для гарних відносин КНР із Заходом 26 апреля 2024
Пекін продовжує розпалювати найбільший збройний конфлікт у Європі з часів Другої світової війни, вважають в НАТО.
У продаж надійшов робот Thermonator із вогнеметом 26 апреля 2024
У продаж надійшов робот Thermonator із вогнеметом
Вагітна Онуфрійчук розказала про стереотипи, партнерські пологи та чому не купує одяг для майбутніх мам 26 апреля 2024
Колишня телеведуча Іванна Онуфрійчук, яка скоро вперше стане мамою, розказала про стереотипи щодо вагітності, з якими їй довелося стикатися.