19 февраля 2020
Это утверждение сложно подвергнуть сомнению, так как авторы публикации в одном из последних выпусков издания Journal of Obesity провели исследование по всем правилам науки.
Ученые пригласили для участия в нем 120 здоровых первокурсников университета.
Всем испытуемым выдали шагомеры, с помощью которых вначале определили среднее количество шагов, которые делал каждый участник в течение одного дня.
Затем участники были разбиты на 3 группы. Группа I получила задание проходить ежедневно не менее 10 000 шагов, испытуемым из группы II было предписано проходить не менее 12 500 шагов, а участникам из группы III – не менее 15 000 шагов.
Студенты должны были выполнять такую «норму» каждый день 6 дней в неделю на протяжении 24 недель.
Перед началом эксперимента и после его завершения все участники также прошли процедуру взвешивания.
Ученые сообщают, что ни один из режимов ходьбы не обеспечил не только похудения, но и стабилизации веса – в течение 24 недель средняя прибавка веса участников составила 1,5 кг.
Однако, как подчеркивают ученые, в ходе этого исследования они изучали влияние ходьбы только на массу тела участников – функции сердца и другие параметры здоровья не регистрировались.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Білорусь могла створити дешеву крилату ракету для РФ - ЗМІ 28 ноября 2025
Представники компанії-розробника зазначили у своїх коментарях про розробку ракети на основі досвіду українського воєнного конфлікту.
У США пройшов традиційний парад до Дня подяки 28 ноября 2025
99-й за рахунком парад у Сполучених Штатах через пориви вітру міг пройти без традиційних повітряних куль.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.