20 октября 2013
Канье Уэст вне себя от ярости из-за того, что его возлюбленной Ким Кардашьян отказано в чести получить именную звезду на Аллее славы в Голливуде.
В своем интервью Джимми Киммелу Канье возмущался, что его подруге не желают давать именную звезду: "Они сказали, что моя девочка не будет на Аллее славы, потому что она из реалити-шоу. Люди так несовременны. Нет никаких причин не давать звезду Ким Кардашьян". Однако Ана Мартинес, представитель Голливудской торговой палаты, управляющей Аллеей славы, заявила: "У нас нет звезд реалити-шоу. У нас нет такой категории на Аллее славы.
Мы будем рады рассмотреть звезду реалити, если она будет номинантом или обладателем "Эмми", "Грэмми" или "Оскара". Мы рассматриваем только настоящих актеров и певцов". Отвечая на выпад Канье Уэста, Ана сказала: "Я знаю, он любит ее, и это очень мило... Но у нее нет права быть на Аллее славы. Жаль это говорить, но многим людям она не нравится. Ее даже ни разу не номинировали".
Хочешь узнать больше - читай отзывы
kinoafisha.ua
← Вернуться на предыдущую страницу
Дженніфер Лопес у шовковій сукні та фартушку показала, як із дитиною куховарила до Дня подяки. Фото 28 ноября 2025
27-го листопада у США традиційно відзначають День подяки. Ця подія є важливою і для відомих селебріті, які щороку збираються з родинами за святковим столом.
Люди навіть не уявляють, наскільки штучний інтелект змінить світ, але все закінчиться бульбашкою, хоч і не скоро 28 ноября 2025
Увещування деяких авторитетних інвесторів, таких як Майкл Бьюррі, щодо неминучості формування бульбашки на ринку штучного інтелекту починають дратувати керівництво Nvidia, яке раптово починає виправдовувати всі процеси, що відбуваються на біржі. Деякі інвестори займають більш зважену позицію, не відкидаючи при цьому саму ідею формування бульбашки на ринку штучного інтелекту.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.