ТОнеТО | В Киеве появится два новых парка и сквера | Новости про товары, услуги, компании, технологии

В Киеве появится два новых парка и сквера

13 марта 2016

Депутаты Киевсовета приняли решение о создании двух парков в столице.

"На пленарном заседании Киевсовета депутаты поддержали создание двух новых парков отдыха в Оболонском и Шевченковском районах столицы", - говорится в сообщении.

Согласно сообщению, предусматривается создание парка отдыха Сырецкий Яр площадью 5,78 га по ул.Рижской в Шевченковском районе, а также парка в урочище Наталка площадью 7,2га в Оболонском районе.

Также в Оболонском районе появятся два новых сквера - на ул.Северной вдоль домов №2 – №46 площадью 0,85га (сквер с аллеей), и на аллее между домом №58 на ул.Героев Сталинграда и №31 на ул.Приречной.

Кроме того, депутаты согласовали расширение сквера на ул.Анны Ахматовой, 43 в Дарницком районе с 0,5 га до 0,85 га.

За зелеными зонами будет ухаживать коммунальное объединение Киевзеленстрой.

Ранее сообщалось, что киевская власть подготовила проект по благоустройству столичных парков, в рамках которого будут приведены в порядок 23 парка и сквера.

korrespondent.net

Хочешь узнать больше - читай отзывы

Серцево-судинні захворювання залишаються однією з головних причин летальності у світі, і особливу загрозу становить тихий серцевий напад — епізод ішемії, який проходить без класичного болю в грудях.

Стало відомо, як ефірні олії допомагають при застуді та грипі в сезон захворювань 28 ноября 2025

Коли температура на вулиці падає, а кількість вірусних інфекцій зростає, багато хто шукає підтримуючі способи полегшити симптоми застуди та грипу. Ефірні олії давно стали частиною домашніх наборів самодопомоги — особливо у тих, хто віддає перевагу м'яким, допоміжним методам.

У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025

У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.