В Китае умерла женщина, застряв в лифте на месяц
7 марта 2016
В отключенном лифте жилого дома в городе Сиань в центре Китая обнаружено тело женщины, пролежавшее там больше месяца, сообщают местные власти.
Лифт был отключен ещё 30 января двумя рабочими, которые проводили техобслуживание, так как в здании имелся ещё один. Тело обнаружили лишь 1 марта, когда на место прибыли другие рабочие.
По данным местных журналистов, на внутренних стенках лифта обнаружены царапины.
Сообщается, что частично столь длинный перерыв между визитами рабочих объясняется долгим празднованием Нового года по китайскому календарю.
Полиция рассматривает случившееся как непреднамеренное убийство. По этому делу уже арестовано несколько человек.
Рабочие утверждают, что кричали, чтобы проверить, нет ли кого в лифте, однако не стали заглядывать внутрь.
Как уточняют местные власти, погибшей женщине 43 года, она жила одна, и члены семьи навещали ее редко.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Тихий серцевий напад — як не пропустити перші сигнали 28 ноября 2025
Серцево-судинні захворювання залишаються однією з головних причин летальності у світі, і особливу загрозу становить тихий серцевий напад — епізод ішемії, який проходить без класичного болю в грудях.
Стало відомо, як ефірні олії допомагають при застуді та грипі в сезон захворювань 28 ноября 2025
Коли температура на вулиці падає, а кількість вірусних інфекцій зростає, багато хто шукає підтримуючі способи полегшити симптоми застуди та грипу. Ефірні олії давно стали частиною домашніх наборів самодопомоги — особливо у тих, хто віддає перевагу м'яким, допоміжним методам.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
4.5
0.1