7 октября 2022
Два человека высадились на американском острове Святого Лаврентия в Беринговом проливе и заявили, что приплыли из России. Об этом сообщает KTVA.
О появлении неизвестных в береговой охране узнали утром 4 октября. Жители острова рассказали, что двое незнакомцев прибыли на маленькой лодке. Мужчины уверяли, что приплыли из поселка Эгвекинот в Чукотском автономном округе и якобы хотели «убежать от военных». Они преодолели по морю примерно 480 километров.
Об инциденте поставили в известность сенатора США от штата Аляска Дэна Салливана, который созвонился с секретарем Министерства внутренней безопасности США и другими чиновниками ведомства, чтобы обсудить сложившуюся ситуацию.
В данный момент мужчины доставлены в американский город Анкоридж, штат Аляска, где с ними работают сотрудники Министерства внутренней безопасности США. Таможенная и пограничная службы страны решают, «допустим ли въезд этих лиц в Соединенные Штаты».
KTVA уточняет, что изначально неизвестные были названы российскими гражданами, но сейчас формулировка их статуса изменена на «иностранные граждане».
В 2019 году сообщалось, что россиянин попал в норвежскую тюрьму за ограбление банка на острове Шпицберген. Мужчину приговорили к 14 месяцам лишения свободы.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Футболіст Роман Яремчук на своє 30-річчя попозував із дружиною в грайливому міні. Фото 28 ноября 2025
Нападник "Олімпіакоса" та збірної України Роман Яремчук 27-го листопада відзначив своє 30-річчя. З цієї нагоди він показав моменти стильної вечірки.
Білорусь могла створити дешеву крилату ракету для РФ - ЗМІ 28 ноября 2025
Представники компанії-розробника зазначили у своїх коментарях про розробку ракети на основі досвіду українського воєнного конфлікту.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.