iPad следующего поколения появится весной
20 декабря 2011
По предварительным данным, гаджет получит 9,7-дюймовый сенсорный экран с разрешением 2048×1536 пикселов. Для сравнения: у iPad 2 разрешение дисплея — 1024×768 точек. Выпуск панелей, по слухам, возьмут на себя компании Samsung, LG Display и Sharp. Выбор сразу трёх производителей обеспечит необходимые объёмы поставок и позволит снизить вероятность возможных рисков, сообщают "Осведомлённые веб-источники".
Среди других предполагаемых характеристик планшета упоминаются новый разъём для подключения к док-станции, улучшенная аккумуляторная батарея и модуль LTE.
В текущем квартале объёмы производства iPad 2, по оценкам, составят 14–15 млн штук, а в первой четверти 2012-го поставки снизятся до 4–5 млн. В то же время будет отгружено от 9,5 до 9,8 млн планшетов третьего поколения. На рынке новинка, как ожидается, появится в марте или апреле.
Отмечается также, что Apple рассматривает возможность выпуска версии iPad, оснащённой экраном с диагональю 7,85 дюйма. Такое устройство может увидеть свет во второй половине 2012-го.
По прогнозам аналитиков, в уходящем году продажи iPad могут достичь 40 млн штук.
Чтобы узнать больше, читай отзывы.
Компьюлента
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Штучний інтелект та нейроінтерфейс повернули паралізованому пацієнтові мову та можливість працювати 17 июня 2026
Система штучного інтелекту та інтерфейс мозок-комп'ютер допомогли паралізованому та неспроможному говорити пацієнту з бічним аміотрофічним склерозом (БАС) відновити мову та працювати повний робочий день.
Лободу обурили новини про розкішний маєток у Підмосков'ї за $12 млн, де вона жила 17 июня 2026
Герб Росії та басейн з атлантами: Лободу обурили новини про розкішний маєток у Підмосков'ї за $12 млн, де вона жила Співачка заявляє, що це не її будинок
Вчені з'ясували, наскільки ще можна зменшувати транзистори 17 июня 2026
Дослідники з Корейського передового інституту науки і технологій (KAIST) представили методику розрахунку квантового межі зменшення транзисторів. З певного моменту квантовий ефект тунелювання призводить до неконтрольованого зростання витоків струму. Методика надає кількісне уявлення про способи протидії цим процесам, щоб виробники чіпів рухалися до найменшого можливого транзистора не наосліп, а свідомо.
5.0
