25 августа 2019
Некоторые подробности о грядущем высокопроизводительном чипе Kirin 990 от Huawei уже прозвучали. Официальные спецификации Kirin 990 могут быть объявлены уже на международной выставке электроники IFA 2019 в Берлине, которая состоится 6–11 сентября.
И хотя компания старается не разглашать все подробности о своей передовой однокристальной системе, президент Huawei по Центральной, Восточной, Северной Европе и Канаде Янмин Ван (Yanmin Wang) поделился информацией о лучшем мобильном чипе свой компании, который ляжет в основу флагманских смартфонов. Например, складной Huawei Mate X из-за переноса запуска на ноябрь получит эту новую однокристальную систему вместо Kirin 980, с которой он демонстрировался на MWC 2019, и улучшенную систему камер RYYB.

Господин Ван также подтвердил, что Kirin 990 будет производиться на улучшенном 7-нм техпроцессе, который, как ожидается, позволит сократить энергопотребление на фоне Kirin 980. Также процессор будет соответствовать основным стандартам 5G для китайских сетей пятого поколения. Очевидно, Huawei встроит модем в SoC, освобождая место внутри смартфона. Однако руководитель оставил без ответа уточняющий вопрос, будет ли Kirin 990 поддерживать американские полосы частот 5G mmWave в диапазоне 30–300 МГц.

Ещё одним важным новшеством станет поддержка записи видео 4K с частотой 60 кадров/с, недоступной в этом разрешении на Kirin 980. При этом конкурирующие чипсеты Qualcomm Snapdragon 855 и Samsung Exynos 9825 уже работают с форматом UHD/60p. Презентация первых смартфонов Huawei Mate 30 и Mate 30 Pro, использующих Kirin 990, намечена на 19 сентября.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
У Москві почали масово відключати інтернет - ЦПД 28 ноября 2025
Влада Росії масштабує відключення інтернету, пояснюючи це "вимогами захисту від українських безпілотників".
Гарік Корогодський повідомив, що його багатодітна дочка підписала контракт із ТРО 28 ноября 2025
Бізнесмен і багатодітний батьком Гарік Корогодський повідомив, що його старша донька Ліза вступила на службу в ТРО і тепер перебуває у складі вогневої групи, яка збиває шехади.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.