Microsoft раздумывает над наушниками с дактилоскопическим сканером
24 мая 2020
Корпорация Microsoft, по сообщениям интернет-источников, находится в процессе патентования наушников с интегрированным дактилоскопическим сенсором для биометрической идентификации пользователей по отпечаткам пальцев.
Наличие сканера отпечатков пальцев обеспечит дополнительную безопасность при различных сценариях использования. К примеру, владелец сможет через гарнитуру проходить авторизацию на персональном компьютере.
Кроме того, на базе дактилоскопического датчика может быть реализована функция загрузки персональных настроек, скажем, установок эквалайзера, предпочитаемого уровня громкости и пр.
Сканер отпечатков пальцев также позволит организовывать доступ к телефонной функциональности для определённого круга лиц. Возможно, будут предусмотрены и другие опции.
На текущий момент корпорация Microsoft лишь патентует предложенную разработку. О том, когда подобная система может быть воплощена в коммерческих устройствах, ничего не сообщается.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Британія в ОБСЄ: Кордони не можна змінювати силою 28 ноября 2025
Для забезпечення справедливого і тривалого миру мирна угода повинна зберігати суверенітет України, утверджувати принцип недоторканності кордонів і містити дієві гарантії проти можливих загроз.
Футболіст Роман Яремчук на своє 30-річчя попозував із дружиною в грайливому міні. Фото 28 ноября 2025
Нападник "Олімпіакоса" та збірної України Роман Яремчук 27-го листопада відзначив своє 30-річчя. З цієї нагоди він показав моменти стильної вечірки.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
5.0
0.6