29 октября 2016
Вице-президент подразделения мобильных коммуникаций Samsung Ли Кёнг-тэ (Lee Kyeong-tae) дал ряд комментариев в отношении будущего флагманского смартфона Galaxy S8.
После провального дебюта фаблета Galaxy Note 7, который южнокорейский гигант был вынужден отозвать по причине самовозгорания, помочь компании «реабилитироваться» должен именно Galaxy S8. Как мы сообщали ранее, анонс этого устройства ожидается в феврале следующего года, но на рынке новинка появится не ранее марта.
Итак, по словам господина Ли Кёнг-тэ, смартфон получит «искусный» дизайн. Очевидно, Galaxy S8 будет оснащён дисплеем, загибающимся на боковые части корпуса. По предварительной информации, размер экрана составит 5,5 дюйма по диагонали, разрешение — 3840 × 2160 пикселей (формат 4K/UHD).
Руководитель Samsung отметил, что дальнейшим улучшениям подвергнется основная камера. Увы, о её разрешении пока ничего не известно. Но ранее сообщалось, что смартфон может получить сдвоенную камеру, которая позволит повысить качество снимков и даст возможность получать данные о глубине.
Наконец, Ли Кёнг-тэ отметил, что в Galaxy S8 появится усовершенствованный пользовательский сервис на основе технологий искусственного интеллекта.
По слухам, аппарат получит процессор Qualcomm Snapdragon 830 или Exynos 8895 (в зависимости от версии), а также до 8 Гбайт оперативной памяти.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Під Петербургом горить ацетоновий завод 10 января 2025
Місцеві жителі почули глухі вибухи рано зранку в п'ятницю, 10 січня; в Мережу потрапили кадри масштабної пожежі.
У КМДА розповіли, скільки об'єктів культурної спадщини Києва було пошкоджено під час російської атаки 1 січня 10 января 2025
У КМДА розповіли, скільки об'єктів культурної спадщини Києва було пошкоджено під час російської атаки 1 січня. Фото Окупанти продовжують знищувати цивільну інфраструктуру столиці
Температура Землі вперше перевищила межу 1,5°C 10 января 2025
2024 рік став переломним для клімату Землі: середня температура вперше перевищила критичну межу 1,5°C від доіндустріального рівня.