Samsung начала выпуск «автомобильных» UFS-накопителей объёмом 256 Гбайт

9 февраля 2018

Последовательная шина Universal Flash Storage (UFS) медленно проникает в смартфоны, но может оказаться широко востребованной в автомобильной электронике. Во всяком случае, производители флеш-памяти с шиной UFS — компании Samsung и Toshiba — раз за разом предлагают разработчикам всё более совершенные модули памяти. Накопители с интерфейсом UFS работают с использованием всего одной или двух линий памяти и отличаются высокой эффективностью при передаче данных. Особенно важно это будет для электромобилей, в которых каждый запасённый ватт электроэнергии можно будет либо пустить на обслуживание электроники, либо потратить на пробег лишних километров.

Свежим пресс-релизом компания Samsung Electronics докладывает о начале массового производства 256-Гбайт модулей eUFS 2.1 с поддержкой части спецификаций UFS 3.0. Комитет JEDEC опубликовал финальные спецификации UFS 3.0 всего десять дней назад. Новая версия стандарта, помимо двукратного увеличения скорости передачи по одной линии до 1,2 Гбайт/с, содержит два «автомобильных» расширения. Именно эти две возможности заложены в новых чипах Samsung. О двукратном увеличении скорости обмена данными речь пока не идёт.

Итак, новые eUFS 2.1 модули Samsung поддерживают расширенный диапазон рабочих температур от −40 °C до 105 °C (память с шиной eMMC 5.1 работает в диапазоне от −25 °C до 85 °C) и, что касается второго нововведения, поддерживают обновление (регенерацию) данных. Обе эти опции появились в третьей версии стандарта, что позволило Samsung заявить о выпуске первой в индустрии памяти eUFS с поддержкой элементов стандарта UFS 3.0. Ради справедливости отметим, что модули eUFS с поддержкой расширенного температурного диапазона максимальным объёмом 128 Гбайт в декабре представила Toshiba.

Как и декабрьская память Toshiba, модули eUFS 2.1 компании Samsung работают с большей производительностью, чем предписывают спецификации UFS 2.1. Так, заявленная скорость обмена по одной линии составляет 850 Мбайт/с, тогда как стандартом установлена максимальная скорость передачи на уровне 600 Мбайт/с. Для чтения случайных блоков производительность приближается к 45 000 IOPS. Встроенные в память Samsung датчики температуры могут передавать данные в управляющий процессор. Тем самым процессор может оперативно понижать частоту обращения к памяти в случае перегрева или заданным образом реагировать на любое установленное пороговое значение температуры.

В Samsung ожидают, что память eUFS распространится в автомобилях премиального класса в качестве компонентов информационных и развлекательных систем, а затем появится в автомобильной электронике всех уровней сложности и классности.

3dnews

Хочешь узнать больше - читай отзывы

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

Смартфон Xiaomi Mi 8 с 8 Гбайт оперативной памяти стоит $480 14 августа 2018

Китайская компания Xiaomi выпустила новую модификацию смартфона Mi 8, с подробным обзором которого можно ознакомиться в нашем материале.

Леди Гага и Бредли Купер в образе влюбленных 14 августа 2018

Скоро на экранах появится фильм "Рождение звезды", главные роли в котором сыграли голливудский актер Брэдли Купер и певица Леди Гага

Украина превращается в свалку старых дизельных авто из ЕC 14 августа 2018

Европа и Германия, в частности, активно избавляются от дизельных авто

Добавление отзыва временно недоступно

 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

Гостья 5.0
Гостья

Отзывов: 1

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одежда / аксессуары
  • Работодатели
  • Другое