Samsung начала выпуск чипов со встроенной памятью eMRAM

8 марта 2019

В среду в кампусе Giheung компании Samsung состоялась торжественная церемония, посвящённая первым массовым поставкам продуктов со встроенной памятью eMRAM (магниторезистивной RAM). Что это за продукты и какой объём eMRAM в составе поставляемых чипов, в Samsung не сообщили. Из того, что заявлено ― это использование техпроцесса с нормами 28 нм на пластинах FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator). Такие пластины представляют собой очень тонкий слой полностью обеднённого кремния на изоляторе. За счёт подобной конструкции сильно снижаются паразитные токи утечки и растёт энергоэффективность.

Завод Samsung

Завод Samsung

Судя по всему, Samsung использует в производстве блоки eMRAM по 256 Мбит или 512 Мбит. Блоки eMRAM ёмкостью 1 Гбит компания будет выпускать не раньше, чем во второй половине текущего года. В пресс-релизе она уточняет, что позже в этом году будут готовы только цифровые проекты 1-Гбит eMRAM. После этого до начала производства должно пройти ещё порядка трёх месяцев. Тем самым Samsung стала четвёртым производителем чипов, который способен выпускать контроллеры, процессоры и SoC с памятью eMRAM вместо eNAND. Другие три ― это NXP Semiconductors, GlobalFoundries и Intel.

Важной особенностью технологического процесса при производстве eMRAM Samsung можно признать то, что блок памяти добавляется в чип на этапе сборки, упаковки и тестирования. Это означает, что блок eMRAM выпускается отдельно с использованием всего трёх фотомасок и может быть добавлен к чипу вне зависимости от техпроцесса, с помощью которого тот выпущен и без привязки к планарным или FinFET-транзисторам. Вообще без какой-либо привязки к базовому решению. Тем самым блок eMRAM Samsung можно адаптировать под уже готовые и давно запущенные в массовое производство решения, существенно модернизировав актуальные разработки.

Ещё раз повторим, Samsung не даёт точного описания приборов с eMRAM, которые она запустила в массовое производство. Уточнённые данные мы узнаем чуть позже, и всё расскажем на наших страницах. Пока заявлено, что скорость работы eMRAM в 1000 раз больше eNAND (eFlash). В демонстрационном ролике выше компания показывает, что скорости чтения из eMRAM и SRAM одинаковые. Потребление в режиме записи памяти eMRAM составляет всего 1/400 от потребления при записи eNAND, а устойчивость к износу на несколько порядков выше. Также следует ожидать, о чём Samsung не говорит в пресс-релизе, что её память eMRAM относится, скорее всего, к типу STT-MRAM с записью с переносом момента спина электрона. Собственно, об этом говорят энергетические показатели в режиме записи. Очень экономная, энергонезависимая и быстрая память.

3dnews

Хочешь узнать больше - читай отзывы

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

Найдено решение проблемы матерей, с которыми больше не хотят обниматься подросшие сыновья (ФОТО) 26 июня 2019

Этот необычный семейный проект может помочь другим матерям, которые скучают по «обнимашкам» со своими детьми

Частота обновления игрового монитора ASUS VA326HR составляет 144 Гц 26 июня 2019

Компания ASUS анонсировала монитор VA326HR, предназначенный для использования в составе настольных систем игрового уровня.

Как правильно выбрать постельное белье для ребенка? 26 июня 2019

Выбор постельного белья для ребенка – достаточно ответственное дело, поскольку от этого фактора будет зависеть качество сна малыша

+ Добавь комментарий
 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

ееее 5.0
ееее

Отзывов: 1

Blest 4.1
Blest

Отзывов: 1

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одежда / аксессуары
  • Работодатели
  • Другое