19 июня 2019
Всемирная организация интеллектуальной собственности и Бюро по патентам и товарным знакам США выдали компании Samsung Electronics патент на смартфон с двумя дисплеями.

Один из дисплеев вполне стандартный и привычный, а второй размещён на задней панели. Да, примерно как у бывшего российского YotaPhone.
Интересно, что у описанного смартфона в патенте отсутствует фронтальная камера. Вместо этого предлагается использовать основную камеру и вспомогательный тыльный экран. Он примерно вдвое меньше основного, но вполне подходит для помощи при съёмки селфи.
Съёмка селфи активируется нажатием на передний экран. Предварительный кадр показывается на тыльном экране. При этом камера автоматически определяет, снимается человек или другой объект, и регулирует режим самостоятельно.

Нижняя часть у смартфона обычная, можно спокойно держать его в руке, не опасаясь оставить на экране лишние отпечатки пальцев. Когда передний или задний экраны не используются, они автоматически отключается. Активация производится по нажатию.
Напомним, ранее сообщалось, что Google запатентовал сгибающиеся смартфоны.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Путін знову збільшив чисельність армії Росії 29 сентября 2026
Це вже четверте за рік та сьоме з початку війни проти України нарощування чисельності військ РФ.
AOC A245: телефон, який не боїться залишитися без розетки 29 сентября 2026
У липні 2026 року на російський ринок вийшла лінійка кнопкових телефонів AOC — вісім моделей, які охоплюють різні споживчі сегменти, від бюджетних варіантів до пристроїв зі спеціалізованими рішеннями. Одна з них, AOC A245, створена для задачі, знайомої багатьом: залишитися на зв'язку там, де розетка трапляється рідко або зовсім відсутня. Розбираємося, що вміє телефон і кому він стане в пригоді.
Gemini повністю замінив «Google Асистента» на Android 29 сентября 2026
На початку вересня Google ініціювала процес відключення помічника з штучним інтелектом «Google Асистент» на мобільних пристроях. Зараз це відбувається повсюдно — на пристроях більшості типів.