Toshiba улучшает характеристики MRAM-памяти

11 декабря 2012

Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).
Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).

Хочешь узнать больше - читай отзывы

science.compulenta.ru

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

Британія і Австралія підписали договір про будівництво атомних субмарин 26 июля 2025

Двосторонній договір був підписаний міністром оборони Австралії Річардом Марлзом з міністром оборони Великої Британії Джоном Гілі.

Трамп анонсував зустріч із Зеленським і Путіним 26 июля 2025

Також США можуть запровадити вторинні санкції проти Росії раніше, ніж через 50 днів, попередив американський лідер.

Фреймут у хустинці та сарафані показалася з дітьми на тлі Карпат 26 июля 2025

Телеведуча Оля Фреймут замилувала карпатськими краєвидами.

 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

Alf 0.1
Alf

Отзывов: 1

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одяг / аксесуари
  • Роботодавці
  • Інше