Toshiba улучшает характеристики MRAM-памяти
11 декабря 2012
Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
| Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba). |
Хочешь узнать больше - читай отзывы
science.compulenta.ru
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Каллас оцінила перспективи 20 пакету санкцій після заяви Орбана 23 февраля 2026
Євросоюз "робить усе можливе", щоб прийняти 20 пакет санкцій проти Росії, запевнила Кая Каллас.
Розкрито організацію колишніх "доглядачів" СІЗО 23 февраля 2026
Розкрито організацію колишніх "доглядачів" СІЗО
Війна спустошила ринок праці Росії - розвідка 23 февраля 2026
В МНС пропонують залучати до роботи пожежниками строковиків. А у правоохоронців некомплект поліцейських у низці регіонів сягає майже третини штату.
5.0