Toshiba улучшает характеристики MRAM-памяти

11 декабря 2012

Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).
Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).

Хочешь узнать больше - читай отзывы

science.compulenta.ru

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

Як обрати кращий засіб для вашого вуличного туалету 17 апреля 2025

Ви обираєте засіб для вуличного чи дачного туалету? Тоді ви у правильному місці - чому саме бактерії це топ рішення ви дізнаєтесь у цій статті

З антен для "шахедів" майже зникли американські компоненти - ЗМІ 8 апреля 2025

Нові CRP-антени для дрона Гєрань-2 мають тільки два чіпи американського виробництва, зазначають розвідники.

Росія різко збільшила вплив РПЦ в Африці - ЦПД 8 апреля 2025

За три роки роботи екзархату РПЦ на континенті було відкрито парафії у 30 країнах, половина з яких з’явилась у 2022 році.

 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

Елена 2.2
Елена

Отзывов: 1

Ольга Демченко 0.1
Ольга Демченко

Отзывов: 1

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одяг / аксесуари
  • Роботодавці
  • Інше