Toshiba улучшает характеристики MRAM-памяти

11 декабря 2012

Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).
Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).

Хочешь узнать больше - читай отзывы

science.compulenta.ru

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

Наталія Валевська показала свою маму, креативно привітавши її з ювілеєм 19 августа 2025

Співачка Наталія Валевська в день народження своєї мами Ірини адресувала їй теплі слова, привітавши "живою" листівкою в Instagram.

Doogee V Max Play - надміцний смартфон та кишеньковий кінотеатр в одному пристрої 19 августа 2025

Doogee V Max Play - надміцний смартфон та кишеньковий кінотеатр в одному пристрої

Автопром відмовляється від "запаски": чим це загрожує в дорозі 19 августа 2025

Автопром відмовляється від "запаски": чим це загрожує в дорозі

 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одяг / аксесуари
  • Роботодавці
  • Інше