Toshiba улучшает характеристики MRAM-памяти

11 декабря 2012

Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).
Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).

Хочешь узнать больше - читай отзывы

science.compulenta.ru

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

Учасниця "Холостяка 13" прокоментувала перший скандал на шоу 24 ноября 2024

"Помилка, що я сказала про поцілунок": учасниця "Холостяка 13" прокоментувала перший скандал на шоу Вона не хотіла засмучувати інших дівчат

У Франції грабіжники зухвало викрали коштовності з музею 24 ноября 2024

Скульптура Via Vitae класифікується міністерством культури Франції як національне надбання, а вартість роботи оцінюється у 7 млн євро.

Tesla визнана найнебезпечнішою маркою машин і в цьому є і заслуга Ілона Маска 24 ноября 2024

Tesla визнана найнебезпечнішою маркою машин і в цьому є і заслуга Ілона Маска

 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

Device Market (DM) 5.0
Device Market (DM)

Отзывов: 1

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одяг / аксесуари
  • Роботодавці
  • Інше