11 декабря 2012
Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba). |
Хочешь узнать больше - читай отзывы
science.compulenta.ru
← Вернуться на предыдущую страницу
Як обрати кращий засіб для вашого вуличного туалету 17 апреля 2025
Ви обираєте засіб для вуличного чи дачного туалету? Тоді ви у правильному місці - чому саме бактерії це топ рішення ви дізнаєтесь у цій статті
З антен для "шахедів" майже зникли американські компоненти - ЗМІ 8 апреля 2025
Нові CRP-антени для дрона Гєрань-2 мають тільки два чіпи американського виробництва, зазначають розвідники.
Росія різко збільшила вплив РПЦ в Африці - ЦПД 8 апреля 2025
За три роки роботи екзархату РПЦ на континенті було відкрито парафії у 30 країнах, половина з яких з’явилась у 2022 році.