Toshiba улучшает характеристики MRAM-памяти

11 декабря 2012

Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).
Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).

Хочешь узнать больше - читай отзывы

science.compulenta.ru

← Вернуться на предыдущую страницу

Читайте также:

Японія також розслідує безконтрольне «роздягнення» людей ШІ-ботом Grok 18 января 2026

Японія приєдналася до зростаючого списку країн, які відкрили розслідування щодо відповідності законодавству функціонування ШІ-чат-бота Grok, за допомогою якого створюються та поширюються зображення сексуального характеру без згоди користувачів.

Шмигаль розповів про допомогу Києву та області у відновленні світла та тепла 18 января 2026

заседание Штаба по ликвидации последствий чрезвычайных ситуаций в Киеве и области

Штучне Сонце на Землі першим запалить Китай — не пізніше 2030 року, пообіцяли вчені 18 января 2026

На профільній конференції Fusion Energy Technology and Industry Conference 2026 у Хефеї китайські вчені пообіцяли першими у світі досягти самопідтримувальної термоядерної реакції в реакторі типу токамак. Цим реактором стане установка Burning Plasma Experimental Superconducting Tokamak (BEST), першу плазму на якій планується отримати в 2027 році. До 2030 року BEST має продемонструвати або нульовий, або позитивний вихід енергії, чого ще не було досягнуто на Землі.

 

Вас могут заинтересовать эти отзывы

Николаев Дмитрий 0.4
Николаев Дмитрий

Отзывов: 1

Реал Буд груп 5.0
Реал Буд груп

Отзывов: 1

Каталог отзывов





×

Выберите область поиска

  • Авто
  • Одяг / аксесуари
  • Роботодавці
  • Інше