10 марта 2021
Наступившей весной китайская компания Lenovo анонсирует игровой смартфон нового поколения: аппарат под названием Legion 2 Pro показался в популярном тесте Geekbench.

Бенчмарк говорит об использовании флагманского процессора Qualcomm Snapdragon 888. Чип объединяет восемь вычислительных ядер с частотой до 2,84 ГГц, графический ускоритель Adreno 660 и модем Snapdragon X60 5G, обеспечивающий скорость передачи данных до 7,5 Гбит/с.
Смартфон фигурирует под кодовым обозначением L70081. Он несёт на борту 16 Гбайт оперативной памяти. В качестве программной платформы применяется операционная система Android 11.
Ожидается, что новинка будет оснащена качественным дисплеем AMOLED с частотой обновления не менее 144 Гц. Устройство может получить активную систему охлаждения с небольшим вентилятором.

Кроме того, называется ёмкость аккумуляторной батареи — 5000 мА·ч. Сведений о мощности быстрой подзарядки на данный момент нет.
Отмечается также, что в тесте Geekbench 5 смартфон показал результат в 1129 баллов в одноядерном режиме работы и 3763 балла в многоядерном режиме.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
ЄС звинувачує Бельгію в заробітку на російських активах - ЗМІ 28 ноября 2025
Кілька країн ще торік звинувати Брюссель в тому, що частину податкових надходжень з активів він витрачає на власні потреби.
Люди навіть не уявляють, наскільки штучний інтелект змінить світ, але все закінчиться бульбашкою, хоч і не скоро 28 ноября 2025
Увещування деяких авторитетних інвесторів, таких як Майкл Бьюррі, щодо неминучості формування бульбашки на ринку штучного інтелекту починають дратувати керівництво Nvidia, яке раптово починає виправдовувати всі процеси, що відбуваються на біржі. Деякі інвестори займають більш зважену позицію, не відкидаючи при цьому саму ідею формування бульбашки на ринку штучного інтелекту.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.