Неанонсированый планшет Samsung с чипсетом Snapdragon 662 «засветился» в GeekBench
15 июля 2020
Неанонсированный планшет Samsung с номером модели SM-T505 был обнаружен в базе данных Geekbench. Устройство оснащено процессором Qualcomm Snapdragon 662, который работает в связке с 3 Гбайт оперативной памяти, и находится под управлением Android 10. Вероятно, речь идёт о Galaxy Tab A 7.0.
gsmarena.com
Snapdragon 662 является одним из последних процессоров Qualcomm и носит кодовое имя Bengal. Чипсет включает в себя графический процессор Adreno 610, который работает на частоте 980 МГц. Что касается вычислительных ядер, то четыре из них работают на частоте 2,0 ГГц, а ещё четыре — имеют частоту 1,8 ГГц. Подтверждений того, что это именно Snapdragon 662, в базе данных нет, однако его характеристики полностью подходят под фактическое оснащение планшета.
gsmarena.com
Таким образом, если информация подтвердится, то Galaxy Tab A 7.0 получит процессор с четырьмя ядрами Kryo 260 Gold (переработанные Cortex-A73) и четырьмя Kryo 260 Silver (основаны на Cortex-A53). Кроме того, в чипсет интегрирован LTE-модем Snapdragon X11, который обеспечивает скорость до 390 Мбит/с на приём и 150 Мбит/с на передачу данных.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Трамп готовий визнати окуповані території України російськими - ЗМІ 29 ноября 2025
Трамп направив свого спецпредставника Стіва Віткоффа і зятя Джареда Кушнера, щоб вони зробили пряму пропозицію щодо угоди Путіну.
Тихий серцевий напад — як не пропустити перші сигнали 28 ноября 2025
Серцево-судинні захворювання залишаються однією з головних причин летальності у світі, і особливу загрозу становить тихий серцевий напад — епізод ішемії, який проходить без класичного болю в грудях.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
5.0
0.1