21 января 2020
Компания Samsung запатентовала дизайн защитного чехла для будущего смартфона семейства Galaxy Note, о чём сообщает ресурс LetsGoDigital.

В прошлом году, напомним, дебютировали фаблеты Galaxy Note 10 и Galaxy Note 10+ с вертикально ориентированной многомодульной камерой и без 3,5-мм разъёма для наушников. А недавно вышел аппарат Galaxy Note 10 Lite, который получил тыльную камеру в виде блока практически квадратной формы и 3,5-мм аудиогнездо.
Запатентованный футляр, как считают наблюдатели, предназначен для смартфона семейства Galaxy Note 20. На это указывает расположение вырезов для элементов фаблета.
В частности, внизу можно видеть отверстие под слот для пера S Pen и вырез для симметричного порта USB Type-C. В то же время отверстие для 3,5-мм гнезда отсутствует.
Сзади предусмотрен довольно крупный прямоугольный вырез для многомодульной камеры. Она может объединить пять сенсоров и вспышку или четыре сенсора, вспышку и дополнительный микрофон.

В одной из боковых частей чехла предусмотрены прорези для физических кнопок управления.
Официальная презентация аппаратов Samsung Galaxy Note 20 ожидается во второй половине текущего года — предположительно, в августе.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
У Литві стартували військові навчання НАТО 4 мая 2026
Загальна чисельність учасників перевищить 2500 військовослужбовців, повідомили в литовському МІноборони.
Google кардинально оновила дизайн та інтерфейс додатку Gemini 4 мая 2026
Останні кілька місяців Google працювала над створенням оновленого дизайну додатку Gemini. Тепер з'явилася можливість оцінити результати цієї діяльності розробників.
Японський виробник унітазів несподівано заробив на бумі штучного інтелекту та дефіциті пам'яті 4 мая 2026
Прийнято вважати, що будь-яка криза породжує можливості, для японської компанії Toto в умовах дефіциту мікросхем пам'яті відкрилися не зовсім очевидні напрямки діяльності. Відома своєю передовою сантехнікою, Toto почала більше заробляти на постачаннях електростатичних захватів, які використовуються при виробництві пам'яті NAND.