7 октября 2020
Компания SK hynix сегодня, 6 октября 2020 года, представила первую в мире оперативную память следующего поколения — DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory.

Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики.
Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.
Реализована поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз.

Наконец, говорится, что ёмкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).
Поначалу DDR5 DRAM будет проникать в серверный сегмент. SK hynix отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надёжности и производительности.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Bayraktar TB3 вперше знищив ціль лазерною ракетою 22 июня 2026
Новітній турецький безпілотник "бачить" ворога, лазер фіксує точку, а ракета летить точно в ціль.
Лубінець назвав кількість українських біженців 21 июня 2026
За даними УВКБ ООН, понад 5,7 млн українців через збройну агресію проти України були змушені виїхати за кордон.
Енн Гетевей оголосила про вагітність 21 июня 2026
Енн Гетевей оголосила про вагітність