7 октября 2020
Компания SK hynix сегодня, 6 октября 2020 года, представила первую в мире оперативную память следующего поколения — DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory.

Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики.
Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.
Реализована поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз.

Наконец, говорится, что ёмкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).
Поначалу DDR5 DRAM будет проникать в серверный сегмент. SK hynix отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надёжности и производительности.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
США в ООН звинуватили низку країн у підтримці війни РФ проти України 25 февраля 2026
Теммі Брюс наголосила на ролі Китаю, Північної Кореї, Ірану та Куби у допомозі країні-агресорці.
Віткофф "вірить у зустріч" Зеленського і Путіна 25 февраля 2026
Зустріч Зеленського і Путіна могла б підтвердити попередні домовленості, переконаний спецпосланець президента США.
У Великобританії затримали чоловіка, що прийшов до мечеті з сокирою 25 февраля 2026
Чоловіка 40 років заарештували за підозрою у володінні зброєю та наркотиками, а його ймовірному спільнику вдалось утекти.