22 ноября 2018
На сайтах сразу нескольких европейских ретейлеров появилась информация о новых твердотельных (SSD) накопителях Samsung для потребительского рынка — устройствах на основе флеш-памяти QLC NAND.

Напомним, что технология QLC предусматривает хранения четырёх бит информации в одной ячейке. По сравнению с изделиями TLC (три бита в ячейке) плотность хранения данных возрастает на 33 %. А это позволяет снизить удельную стоимость накопителей на единицу ёмкости.
Новые SSD-изделия Samsung объединены в семейство 860 QVO — Quality and Value Optimized SSD. Эти устройства на основе QLC-памяти выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Для подключения служит стандартный интерфейс Serial ATA.

Указано, что скорость последовательного чтения достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 520 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении составляет до 96 000, при записи — до 89 000.
В семейство Samsung 860 QVO войдут модели вместимостью 1 Тбайт, 2 Тбайт и 4 Тбайт. Стоимость накопителей варьируется у различных ретейлеров. Предполагается, что официальная розничная цена составит соответственно 140 евро, 270 евро и 540 евро. Производитель обеспечит новинки трёхлетней гарантией. Начало поставок ожидается в декабре.

Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Профілактика раку шийки матки: стартувала нова схема вакцинації від ВПЛ 21 января 2026
Вірус папіломи людини (ВПЛ) одна з найпоширеніших інфекцій, що уражає клітини слизових оболонок і шкіри. Протягом життя з ним стикаються щонайменше 75% населення...
Азербайджан відправив Україні партію електрообладнання 21 января 2026
До складу гуманітарного вантажу увійшло 12 панелей низької напруги, 11 генераторів, 5 трансформаторів та 27 тис. м кабелів та дротів.
Наталка Карпа підтримала Тополю власним пікантним фото, яке зробив чоловік 21 января 2026
Співачка Олена Тополя, яка нещодавно стала жертвою шантажу і чиї інтимні відео були злиті в мережу, отримала потужну хвилю підтримки як від шанувальників, так і від своїх колег.