Разработан новый тип РСМ-памяти

Японские исследователи сообщили о новых достижениях в области разработки памяти с изменяемым фазовым состоянием (РСМ). PCM-память рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространённым флеш-накопителям. Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух стабильных фазовых состояниях.

В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей. Японские учёные создали экспериментальные РСМ-микрочипы, в которых используется структура ячеек, характерная для флеш-памяти NAND. По сравнению с другими РСМ-изделиями, интерфейс которых позаимствован у памяти RAM, новые микрочипы, как утверждается, позволяют поднять скорость записи информации на 670% и одновременно добиться 70-процентного выигрыша в потреблении энергии.

Правда, при этом теряется возможность произвольного доступа. Предполагается, что предложенная технология найдёт применение в накопителях с объёмной структурой ячеек памяти. Создание новых РСМ-микрочипов стало результатом реализации одного из исследовательских проектов, финансируемых японской Организацией разработчиков промышленных технологий и новых источников энергии (NEDO). Подготовлено по материалам Tech-On!.

Структура ячейки PC-памяти типа NAND (иллюстрация Tech-On!).

Хочешь узнать больше - читай отзывы

science.compulenta.ru