Стартовали мировые продажи телефонов Samsung Galaxy S7 и Galaxy S7 egde
11 марта 2016
Начиная с этого дня телефоны можно приобрести в США, Европе, Сингапуре, Австралии и Корее - всего в 60 странах мира. Украина в данный список не вошла.
У нас продажи устройств начнутся позже.
Напомним, что мировая премьера Samsung Galaxy S7 и Galaxy S7 egde состоялась в конце февраля в рамках выставки MWC 2016 в Барселоне. Ключевыми отличиями новинок от их предшественников стали увеличенная емкость аккумуляторов, защита от воды и пыли, улучшенная 12-Мп камера Dual Pixel и возвращенный слот расширения microSD, который отсутствовал в предыдущем поколении, что в своё время вызывало недовольство покупателей.
Galaxy S7 egde отличается от Galaxy S7 не только загнутыми краями дисплея, но и его диагональю — 5,5 дюйма против 5,1 дюйма. Что касается большинства остальных спецификаций, то они у смартфонов совпадают. Оба аппарата построены на базе чипа Exynos 8890 или Qualcomm Snapdragon 820 (в зависимости от рынка сбыта), оснащаются 4 Гбайт оперативной памяти и 32-Гбайт встроенным накопителем, а также работают под управлением Android 6.0 Marshmallow.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Читайте также:
Колишній "Холостяк" і лідер відомого гурту доєднаються до новорічного спецвипуску "Танців з зірками" 28 ноября 2025
Стали відомі імена наступної трійки учасників новорічного спецвипуску телепроєкту "Танці з зірками. Рух до життя", який глядачі побачать вже у грудні.
У США пройшов традиційний парад до Дня подяки 28 ноября 2025
99-й за рахунком парад у Сполучених Штатах через пориви вітру міг пройти без традиційних повітряних куль.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.
0.2
5.0