22 февраля 2021
Экс-президент США Дональд Трамп выступит с речью на крупном мероприятии Республиканской партии. Об этом со ссылкой на собственные источники сообщает Reuters в воскресенье, 21 февраля.
"Экс-президент США Дональд Трамп попытается вновь привлечь к себе политическое внимание, выступив с речью во время важной встречи консерваторов", - сказано в материале.
Речь Трампа запланирована на последний день Конференции консервативных политических действий, которая пройдет с 25 по 28 февраля в Орландо.
Как говорят источники агентства, Трамп будет говорить "о будущем Республиканской партии и консервативного движения", а также выскажется относительно "катастрофических" действий нынешнего президента США Джо Байдена относительно границы и амнистии.
Напомним, 6 января сторонники Трампа пытались штурмовать здание Конгресса США, в итоге им удалось попасть внутрь. Законодателей эвакуировали в безопасные места. Позже силовики при помощи слезоточивого газа зачистили здание Конгресса. Позже Трампу был объявлен второй импичмент, однако Сенат США оправдал бывшего президента.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Швейцарія розширила санкції проти Росії 17 июня 2026
Обмеження торкнулися 16 фізичних осіб і семи організацій, яких пов'язують із примусовою асиміляцією українських дітей на тимчасово окупованих територіях.
Google випустила Wear OS 7 — нова операційна система дебютувала на смарт-годинниках Pixel Watch 17 июня 2026
Google почала розповсюдження оновлення Wear OS 7 для смарт-годинників лінійки Pixel Watch, представивши його одночасно з виходом мобільної операційної системи Android 17. Нова версія орієнтована на підвищення енергоефективності та поліпшення взаємодії з іншими підключеними пристроями користувача.
Вчені з'ясували, наскільки ще можна зменшувати транзистори 17 июня 2026
Дослідники з Корейського передового інституту науки і технологій (KAIST) представили методику розрахунку квантового межі зменшення транзисторів. З певного моменту квантовий ефект тунелювання призводить до неконтрольованого зростання витоків струму. Методика надає кількісне уявлення про способи протидії цим процесам, щоб виробники чіпів рухалися до найменшого можливого транзистора не наосліп, а свідомо.