Fujitsu представила самое компактное зарядное устройство для смартфона

К выставке Big Sight в Токио, которая проходит с 10 по 12 декабря, компания Fujitsu Laboratories подготовила интересную новинку — самое компактное и одновременно самое эффективное зарядное устройство для смартфонов. Казалось бы, чем может удивить зарядное устройство? Оказалось — может! Разработчики из Fujitsu использовали в схеме устройства новейшие силовые транзисторы на основе нитрида галлия (GaN). Это пока редкий «зверь» в бытовых электронных приборах. Транзисторы на основе GaN способны работать на частотах, вдесятеро превышающих скорость переключения традиционных кремниевых полевых транзисторов. Этому способствует высокая подвижность электронов в нитриде галлия. Также GaN-транзисторы обладают низким динамическим сопротивлением и характеризуются низким пороговым напряжением переключения.

Благодаря перечисленным выше характеристикам блоки питания на основе транзисторов из нитрида галлия оказываются значительно меньше по размерам и способны отдавать нагрузке повышенные токи с уменьшенными потерями при преобразовании. Прототип блока питания Fujitsu для смартфона имеет объём всего 15 кубических сантиметров и отдаёт нагрузке до 12 Вт. Коэффициент полезного действия достигает значения 87 %. Последнее не менее важно, чем малые размеры и высокие токи. Ёмкости батареек в смартфонах постепенно растут, а значит, растёт время, требуемое для полного заряда аккумулятора. Чем выше КПД преобразователя, тем меньше электроэнергии сгорает впустую, что идёт в плюс экономике и экологии. Предложенная компанией Fujitsu схемотехника и использование GaN-транзисторов практически устраняют паразитные переходные процессы при преобразовании сетевого напряжения в напряжение, требуемое для заряда батареи смартфона.

Также аккумулятор смартфона зарядится быстрее, если блок питания окажется достаточно мощным. Как считают разработчики, представленный прототип блока питания поможет зарядить аккумулятор смартфона всего за 1/3 типичного времени заряда, свойственного современным блокам питания. Следует добавить, что в феврале 2016 года на территории США вводится требование продавать внешние блоки питания с уровнем КПД, отвечающие требованиям нового стандарта «Level VI». Прототип блока питания Fujitsu, как следует из графика ниже, по характеристикам превышает требования Level VI и не нарушит законодательства. Правда, в продажу блоки питания на GaN-транзисторах компания рассчитывает отправить только в финансовом 2017 году (с апреля 2017 года).

КПД опытного блока питания на GaN-транзисторе удовлетворяет требованиям нового стандарта Level VI (Fujitsu Laboratories)

3dnews

Хочешь узнать больше - читай отзывы