Samsung розраховує забезпечити швидкість передачі інформації за допомогою HBM4E до 13 Гбіт/с

Пам'ять типу HBM4E вважається сьомим поколінням відповідної технології, що передбачає формування стека з кількох ярусів DRAM. У 2027 році Samsung Electronics має намір налагодити масове виробництво HBM4E, забезпечивши з її допомогою збільшення швидкості передачі інформації в два з половиною рази порівняно з нинішньою HBM3E.

Джерело зображення: Samsung Electronics

Як пояснює Business Korea, посилаючись на виступ представників Samsung на OCP Global Summit 2025 у Каліфорнії, компанія розраховує підвищити швидкість передачі інформації за допомогою HBM4E до 13 Гбіт/с на контакт. Якщо врахувати, що HBM4E буде оснащуватися 2048 контактами, результуюча швидкість може досягти 3,25 Тбайт/с. При цьому енергетична ефективність HBM4E виявиться в два з лишком рази вищою, ніж у HBM3E.

У січні поточного року Samsung планувала збільшити пропускну здатність HBM4E до 10 Гбіт/с на контакт, тому приріст до 13 Гбіт/с можна вважати досить серйозним. В значній мірі таке зміна було спровоковано Nvidia, яка запросила у своїх потенційних постачальників пам'яті для прискорювачів сімейства Rubin збільшити пропускну здатність HBM4 з 8 до 10 Гбіт/с. Samsung і SK hynix вирішили підняти планку до 11 Гбіт/с, Micron була змушена вчинити аналогічним чином.

Відповідно, через таке зростання пропускної здатності HBM4 виробникам доведеться переглянути й характеристики потенційно більш швидкої HBM4E, що Samsung формально і зробила. Важливо, що результуюча пропускна здатність такої пам'яті вперше в історії перевищить 3 Тбайт/с.

Паралельно Samsung розповіла про характеристики LPDDR6, яка була стандартизована JEDEC у липні поточного року. Компанія планує покращити енергетичну ефективність на 20 % порівняно з LPDDR5X, а пропускну здатність підвищити до 114,1 Гбайт/с.

У сфері контрактного виробництва Samsung має намір освоїти масовий випуск 2-нм продукції до кінця цього року. Клієнтом Samsung у цьому напрямку став південно-корейський розробник прискорювачів ШІ — компанія Rebellions. Відповідні 2-нм процесори зможуть досягати частот від 3,5 до 4,0 ГГц. Це дещо вище, ніж у випускаються TSMC за 4-нм технологією процесорів Nvidia Grace з архітектурою Arm, які працюють на частоті 3,44 ГГц.

Хочеш дізнатися більше — читай відгуки