15 июля 2020
Вместе со смартфоном среднего класса Nord 21 июля OnePlus планирует представить свои первые полностью беспроводные наушники. Сегодня устройство начало обрастать дополнительными подробностями. Стало известно, что OnePlus Buds смогут похвастаться впечатляющей автономностью, превосходя по этому параметру даже Apple AirPods.
phonearena.com
По заверениям компании, OnePlus Buds смогут обеспечить непрерывное воспроизведение музыки в течение более чем семи часов без подзарядки. Конечно, Samsung Galaxy Buds+ могут воспроизводить аудио на протяжение 11 часов, однако при использовании кейса для подзарядки длительность автономной работы OnePlus Buds превышает 30 часов. К примеру, для Apple AirPods этот показатель лишь немного выше 24 часов, а для Galaxy Buds Plus — и вовсе равен 22 часам.
phonearena.com
Такая автономность OnePlus Buds впечатляет ещё больше, если учесть, что масса каждого из наушников составляет всего 4,3 грамма. Кейс для зарядки весит при этом 36 грамм. По данному показателю устройство превосходит всех конкурентов. Если эта информация подтвердится, первые полностью беспроводные наушники OnePlus окажутся крайне конкурентоспособным устройством.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Коли вийде наступний сезон "Бріджертонів": відомі точні дати 28 ноября 2025
Коли вийде наступний сезон "Бріджертонів": відомі точні дати Вийшов новий тизер романтичного серіалу
Британія в ОБСЄ: Кордони не можна змінювати силою 28 ноября 2025
Для забезпечення справедливого і тривалого миру мирна угода повинна зберігати суверенітет України, утверджувати принцип недоторканності кордонів і містити дієві гарантії проти можливих загроз.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.