23 сентября 2019
В распоряжении сетевых источников оказалась новая порция информации о флагманских смартфонах Galaxy S11, которые компания Samsung анонсирует в следующем году.
Фотографии Reuters
Особенностью аппаратов станет передовая многомодульная камера. Её основным компонентом послужит датчик Samsung ISOCELL Bright HMX, который насчитывает 108 млн пикселей. Сенсор позволит формировать изображения с разрешением до впечатляющих 12032 × 9024 точки.
Ещё одной особенностью Galaxy S11 станет система пятикратного оптического масштабирования. Разумеется, она будет реализована в составе тыльной многокомпонентной камеры.

Флагманские смартфоны смогут функционировать в мобильных сетях пятого поколения (5G). Будут выпущены модификации Galaxy S11 на процессорах Exynos и Snapdragon.
Согласно прогнозам International Data Corporation (IDC), в текущем году по всему миру будет реализовано 1,38 млрд смартфонов. Если эти ожидания оправдаются, поставки сократятся на 1,9 % по сравнению с прошлым годом. Samsung останется лидером глобального рынка.
Хочешь узнать больше - читай отзывы
← Вернуться на предыдущую страницу
Британія в ОБСЄ: Кордони не можна змінювати силою 28 ноября 2025
Для забезпечення справедливого і тривалого миру мирна угода повинна зберігати суверенітет України, утверджувати принцип недоторканності кордонів і містити дієві гарантії проти можливих загроз.
Люди навіть не уявляють, наскільки штучний інтелект змінить світ, але все закінчиться бульбашкою, хоч і не скоро 28 ноября 2025
Увещування деяких авторитетних інвесторів, таких як Майкл Бьюррі, щодо неминучості формування бульбашки на ринку штучного інтелекту починають дратувати керівництво Nvidia, яке раптово починає виправдовувати всі процеси, що відбуваються на біржі. Деякі інвестори займають більш зважену позицію, не відкидаючи при цьому саму ідею формування бульбашки на ринку штучного інтелекту.
У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025
У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.