ТОнеТО | Японский зонд Hayabusa 2 доставит образцы пород астероида на Землю в начале декабря | Новости про товары, услуги, компании, технологии

Японский зонд Hayabusa 2 доставит образцы пород астероида на Землю в начале декабря

15 июля 2020

Автоматический японский аппарат Hayabusa 2 («Хаябуса 2») доставит на Землю образцы пород, взятых на астероиде Рюгу, в конце нынешнего года, о чём сообщают интернет-источники.

Исследовательский зонд Hayabusa 2 отправился к названному космическому телу еще в 2014 году. Летом 2018-го аппарат достиг цели своей миссии.

В рамках научной программы станция дважды совершила успешную посадку на поверхность астероида Рюгу. При этом были собраны образцы грунта на поверхности объекта, а также под поверхностным слоем. Для забора пород специалисты произвели на астероиде взрыв: с борта Hayabusa 2 был сброшен медный снаряд весом 2 кг.

В обратный путь на Землю зонд отправился в ноябре прошлого года. Как теперь сообщается, полученные образцы станция доставит на нашу планету 6 декабря.

Если все операции по возвращению пройдут штатно, учёные получат в своё распоряжение ценнейший материал, который, возможно, позволит получить новую информацию об эволюции Солнечной системы.

Отметим, что астероид Рюгу был открыт в мае 1999 года. Он принадлежит к тёмному спектральному классу C; размер в поперечнике составляет около 920 метров.

3dnews

Хочешь узнать больше - читай отзывы

На Київщині позашляховик на швидкості збив на смерть пішохода. Подробиці ДТП та фото Усі обставини смертельної аварії встановлять слідчі

Смартфони Poco M7 та Redmi Note 14 поєднують високу функціональність з доступною ціною 28 ноября 2025

Xiaomi запропонувала користувачам провести оновлення наявних смартфонів, замінивши їх на нові моделі Poco M7 та Redmi Note 14 з високою функціональністю та надійністю за доступною ціною.

У Samsung розробили флеш-пам'ять майбутнього — надщільну та на крихтах енергії 28 ноября 2025

У свіжій публікації в журналі Nature дослідники з Samsung разом із колегами з Австралії повідомили про розробку NAND-флеш пам'яті майбутнього, яка споживатиме значно менше енергії і при цьому залишиться високоємною. У новій розробці вони об'єднали найкращі напівпровідникові проекти останніх 20 років — затвори з сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників, буквально представивши флеш-пам'ять майбутнього.